11 月 26 日,據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,SK 海力士正準(zhǔn)備將 2.5D 扇出封裝技術(shù)集成到下一代 DRAM 中。
該芯片可在1.01-1.12超低電壓范圍內(nèi)工作,每秒可處理68GB數(shù)據(jù)
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本人保證以上內(nèi)容絕無(wú)虛假。
(*收到爆料后VR陀螺將盡快聯(lián)系爆料者進(jìn)行二次確認(rèn),并判斷內(nèi)容是否適合發(fā)布。)
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